Развитие цифровой экономики, роботизации, квантовой криптографии требует от электроники увеличения скорости, энергоэффективности, быстродействия и безопасности передачи данных. Функциональные пределы привычной кремниевой элементной базы скоро будут достигнуты, поэтому сейчас во всем мире идет поиск структур, которые смогут работать на новых физических принципах, в частности – с использованием квантовых эффектов. 

Коллаборация российских исследователей под руководством специалистов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН займется изучением физики квантовых эффектов как основы для элементной базы вычислительной техники будущего.

Проект ИФП СО РАН «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» стал победителем конкурса Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Проект рассчитан на три года, совокупный объем финансирования – 300 миллионов рублей.

«Наши результаты в дальнейшем могут стать точками роста для электроники будущего. По всем направлениям развития проекта у нас есть обширный задел: это касается как технологических, так и научных наработок. Исследовательские результаты участников нашей команды по тематикам, заявленным в проекте, опубликованы в высокорейтинговых научных журналах – Nature, Physical Review Letters и других», – объясняет руководитель проекта, директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академик Александр Латышев.

Исследования пройдут по нескольким направлениям:

Разработка эпитаксиальных технологий квантовых структур с заданными свойствами для перспективных приборов оптоэлектроники, нанофотоники, наноэлектроники и спинтроники;

Разработка систем для передачи информации с помощью одиночных фотонов – это обеспечивает защищенность и большой объем транслируемых данных;

Разработка нанотехнологий создания и установление основных физических закономерностей новых квантовых систем для пост-кремниевой электроники (на основе графена, ван-дер-ваальсовых гетероструктур, топологических изоляторов и полуметаллов Вейля);

Разработка технологии создания и исследование полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками и спиновых квантовых центров в широкозонных полупроводниках для нового поколения устройств квантовой фотоники. Эти объекты перспективны для создания кубитов  ―  элементов квантового компьютера;

Разработка физических принципов технологий создания пост-кремниевых материалов, включая полупроводниковые и плазмонные метаматериалы, для нанофотоники, плазмоники и наносенсорики. Такие материалы могут использоваться для создания сверхчувствительных сенсоров, самообучающихся нейроморфных систем с минимальным энергопотреблением.

«Если говорить о топологических изоляторах: мы будем работать с двумерными структурами на основе теллуридов кадмия-ртути, а также соединений свинца-олова-теллура. Оба материала широко исследуются во всем мире, в связи с перспективой создания на их основе приборов, работающих на новых физических принципах. Например, спинтронных устройств, в которых перенос информации происходит при помощи спина электрона, а не заряда, как это осуществляется в традиционной электронике. За счет этого возможен большой выигрыш в скорости обработки и передачи информации, энергопотреблении, миниатюризации», – рассказывает ответственный исполнитель проекта, заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Милёхин.

Другое применение теллуридов кадмия-ртути – это разработка различных оптико-электронных приборов. Вместе с коллегами из Института физики микроструктур РАН ученые ИФП СО РАН планируют создать излучатели для терагерцового диапазона, используя структуры с квантовыми ямами на основе теллурида  кадмия-ртути. Терагерцовое излучение «просвечивает» многие материалы, не ионизируя и не разрушая их, и может использоваться в диагностической медицине, системах безопасности.

«Наноструктуры с прогнозируемыми свойствами будут выращиваться в ИФП СО РАН, а исследоваться – теоретически и экспериментально – совместно всеми участниками проекта. Нужно отметить, что в области создания структур состава кадмий-ртуть-теллур, фотоприемных устройств, наши ученые обладают квалификацией, технологиями и разработками высочайшего уровня», – добавляет Александр Милёхин.

У специалистов ИФП СО РАН накоплен большой опыт работы и в области спинтроники: они с учеными из других институтов Российской академии наук синтезируют необходимые материалы и исследуют их свойства. К концу 2020 года в институте появится необходимое аналитическое оборудование, которое позволит изучать зонную структуру и электронную поляризацию в твердых телах ― физические  основы спинтроники. Ранее такие установки были доступны только в других научных центрах, преимущественно зарубежных. ИФП СО РАН обновляет приборную базу на средства, выигранные в грантовом конкурсе Минобрнауки России, осуществляемом в рамках федерального проекта «Развитие передовой инфраструктуры для проведения исследований и разработок в РФ» нацпроекта «Наука».

«Проект “Квантовые структуры для посткремниевой электроники” создает площадку для коммуникации между научными группами: хотя мы сотрудничаем давно, но для проведения интенсивных совместных исследований требуется финансирование. Сейчас эта проблема решена, и мы можем объединить наши компетенции, использовать сильные стороны всех участников, что позволит получить прорывные результаты»,  ―  добавляет Александр Латышев.

В числе участников проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» ― Институт физики микроструктур РАН, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, Новосибирский государственный университет и Санкт-Петербургский государственный университет.